在半导体及新材料化工领域，精密制造不仅关乎技术创新，更伴随着复杂的环保课题。其生产废水因成分特殊、污染物浓度高，成为工业企业环保管理者亟需攻克的难题。本文将深度解析半导体废水的污染特性，并提供成熟的处理策略。  

 一、半导体废水：污染源解析  

半导体制造流程（晶圆加工、刻蚀、清洗、光刻、电镀等）产生的废水主要包含以下污染物：  

1. 重金属离子  

- 来源：电镀、刻蚀工序（如铜、镍、铬、铅）。  

- 危害：生物毒性强，易在环境中富集。  

2. 氟化物（F⁻）  

- 来源：刻蚀环节（氢氟酸清洗）。  

- 危害：腐蚀设备，影响骨骼健康。  

3. 有机污染物  

- 来源：光刻胶剥离剂（NMP、DMSO）、显影液。  

- 典型指标：COD 可高达 10,000 mg/L（远超生活污水）。  

4. 氨氮 & 磷酸盐  

- 来源：CMP抛光液、清洗剂。  

- 危害：引发水体富营养化。  

5. 悬浮物（SS） & 研磨颗粒  

- 来源：晶圆切割、抛光工序。  

> 关键特征：水质波动大、含难降解有机物、部分污染物具生物抑制性。  

 二、处理难点与核心工艺  

针对半导体废水的复杂性，需采用“分质预处理+协同处理”策略：  

 （1）分质预处理  

- 含氟废水 → 钙盐沉淀法（CaCl₂生成CaF₂沉淀）  

- 高氨氮废水 → 吹脱法或折点氯化  

- 重金属废水 → 化学沉淀/离子交换  

- 高浓度有机废液 → 高级氧化（Fenton、臭氧催化）  

 （2）综合处理核心工艺  

[调节池] --> [水解酸化] -->  [UASB厌氧反应器]  --> [好氧处理] -->  [二沉池] -->  [深度处理] -->  [达标出水]

- UASB厌氧工艺：高效降解高浓度COD（去除率>85%），降低后续好氧负荷。  

- 水解酸化：将大分子有机物分解为小分子，提升可生化性。  

- 深度处理（针对严格标准）：  

- 膜技术（UF/RO）：去除微量离子及溶解性有机物  

- 活性炭吸附：保障COD稳定达标  

 三、成功案例：化工新材料废水处理项目  

项目名称：年产50万片CMP抛光垫配套废水处理

处理规模：2000m³/d  

进水水质：   COD ≤ 6500 mg/L │ BOD₅ ≤ 6500 mg/L │ SS ≤ 400 mg/L  

工艺路线：  调节池 → 水解酸化 → UASB → 好氧池 → 二沉池  

成果：  稳定达到《污水综合排放标准》三级标准已建成并通过验收。  

 四、水质达标重点

1. 水质波动应对：设置足够容积的调节池（建议停留时间≥8h）。  

2. 生物抑制防控：高浓度废水须预处理后方可进入生化系统。  

3. 污泥减量化：采用厌氧工艺（如UASB）可减少60%以上污泥产量。  

4. 智慧运维：安装在线监测仪（pH/COD/氨氮），实时预警水质异常。  

 半导体废水处理需定制化设计——不同生产线水质差异显著，工艺选择必须基于详实的水质数据。   

面对半导体产业飞速扩张带来的环保压力，“精准分质+高效生化+深度保障” 的技术路线已成为行业共识。作为专注高难度工业废水处理的环保服务商，武汉格林环保为新材料、半导体企业提供从诊断、设计到运营的一站式解决方案，助力绿色智造。